پایان نامه بررسی اثرات حرارتی بر PLL مبتنی بر MEMS و جبران آن

  • Code: # 31341

  • تعداد صفحات: 80
  • فرمت فایل: word
  • سال: 1393
  • مقطع: کارشناسی ارشد
  • دسته بندی: مهندسی برق
قیمت: ۳۶,۰۰۰ تومان
۶۶,۰۰۰ تومان
دانلود فایل
  • خلاصه
  • فهرست و منابع
  • خلاصه پایان نامه بررسی اثرات حرارتی بر PLL مبتنی بر MEMS و جبران آن

    پایان نامه

    اخذ درجه کارشناسی ارشد

    در رشته مکاترونیک

    چکیده

    در این پایان­نامه یک حلقه­ی قفل فاز بر پایه­ی سیستم­های میکرو الکترومکانیکال طراحی شده است. سیستم حلقه­ی قفل فاز فیدبک داری است که فاز ورودی را با فاز خروجی مقایسه می­کند. این مقایسه توسط یک آشکارساز فاز  انجام می­شود. آشکارساز فاز مداری است که ولتاژ متوسط خروجی آن بطور خطی با اختلاف فاز بین دو ورودی متناسب است. سعی بر این است که  اختلاف فرکانس بین ورودی و خروجی در حلقه­ی قفل فاز ثابت بماند و به همین دلیل اثرات تغییر دما بر این حلقه بررسی خواهد شد و روش­های جبران حرارتی با استفاده از شبکه عصبی ارائه می­شود. همانطور که مشاهده می­شود دما بر روی حلقه تاثیر می­گذارد و باعث تغییر در فرکانس خروجی می­شود و هدف این است که فرکانس ورودی و خروجی در حلقه ثابت بمانند. هدف کمینه کردن اختلاف فرکانس بین ورودی و خروجی در حلقه­ی قفل فاز است.

    مقدمه

     

    سیستم­­های میکرو الکترومکانیکی[1] یکی از فناوری­های نوید  بخش قرن حاضر می­باشد که با توجه به قابلیت­­ها و مزیت­­های فراوانش می­­تواند در محصولات صنعتی، تجاری و مصرفی تحول بزرگی ایجاد نماید. این سیستم­ها، وسایل میکرونی هستند که می­‌توانند بر محیط ماکرو اثر بگذارند. تحقیقات بر روی طراحی، تولید و کاربرد سیستم­های میکرو الکترومکانیکی در حال حاضر در دنیا با جدیت پیگیری می­‌شود و سرمایه گذاری عظیمی در این زمینه انجام می­‌گیرد.

    در این بخش در ابتدا ضمن ارایهی تعریف کلی جهت آشنایی اجمالی با این سیستم­­ها و در ادامه به تاریخچه­ی مختصر و سپس مزایا، ویژگی­­ها، کاربردها، روش­‌های ساخت و مواد به کار رفته در MEMS و ... پرداخته خواهد شد.

     

    ۱-۲ تعریف MEMS

     

    فناوری MEMS  یا فناوری سیستم­‌های میکرو الکترومکانیکی، حاصل تلفیق اجزای مکانیکی، حسگرها، محرک­ها و قطعات الکترونیکی (شکل (1-1)) بر روی یک لایه­ی سیلیکون به کمک فناوری ساخت تراشه­های میکرونی است [1].

    میکرو مکانیک

     

    میکرو محرک­ها

    میکرو سنسور

    سیستم میکروالکترومکانیکی

     

    میکرو الکترونیک

     

     

     

    شکل 1-1 : اجزای MEMS [1]

    ابعاد قطعات MEMS با توجه به شکل (1-2) طیف گسترده­ای را در برمی­‌گیرد، از ابعادی کوچک­‌تر از یک میکرومتر که قابل رویت با چشم نیستند تا ابعاد یک میلی­متر، همچنین انواعی از این سیستم­­ها می­تواند در حالتی ساده، ابزاری بدون قطعه­­ی متحرک و یا در حالت­­های پیچیده، دارای اجزای متحرک متعددی باشد که با سیستم­های کنترل الکترونیکی هدایت می­­شوند.

     

     

    شکل 1-2 : گستره­ی ابعاد MEMS [1]

     

    سیستم­‌های میکرو الکترومکانیکی یا MEMS اصطلاحی است که اولین بار در اواخر دهه­ی ۱۹۸۰ در آمریکا برای نامیدن این نوع سیستم­ها معمول شد و نیز این سیستم­ها در اروپا با نام MST و در ژاپن نیز ماشین آلات خرد[2] نامیده می­‌شود.

    برای ساخت ادوات MEMS از تکنیک­­ها و موادی که در ساخت مدارهای مجتمع[3] به کار می­‌روند، استفاده می­‌شود؛ یا به عبارتی دیگر می­­توان گفت سیستم­های میکرو الکترومکانیکی را می­‌توان تلاشی برای بهره­برداری و گسترش تکنیک­های توسعه یافته­ی ساخت در صنعت مدارهای مجتمع برای اضافه کردن عناصر مکانیکی مانند تیرها، چرخ دنده­ها، دیافراگم­­ها و فنرها به مدارات الکترونیکی و تولید  میکرو سیستم یکپارچه برای ادراک و کنترل جهان فیزیکی دانست [1].

    MEMS یک فناوری است که اجازه­ی توسعه­ی محصولات هوشمند، تکمیل توانایی محاسباتی میکرو الکترون­­ها، با در نظر گرفتن قابلیت­­های میکرو سنسورها و میکرو محرک­‌ها و توسعه­ی فضای ممکن طراحی و استفاده را می­‌دهد.

    مدارهای مجتمع میکرو الکترونیک می­‌تواند به عنوان مغز متفکر یک سیستم در نظر گرفته شود و MEMS این قابلیت تصمیم­گیری را با چشم­‌ها و بازوهایی، زیاد کرده تا به میکروسنسورها اجازه دهد تغییرات پیرامون سیستم را به وسیله­ی دریافت اطلاعات پدیده­­های مکانیکی، حرارتی، بیولوژیکی، شیمیایی، نوری و یا مغناطیسی جمع آوری کنند. پس از دریافت اطلاعات از حسگرها، دستگاه­­های الکترومکانیکی به کمک قدرت تصمیم­گیری خود،  محرک­‌ها را به پاسخ­­هایی همچون حرکت، جابجایی، تنظیم کردن،  پمپ کردن،  فیلتر کردن و ...  وادار کرده و محیط را به سمت نتایج مورد نظر هدایت می­‌کنند.

    پتانسیل واقعی سیستم­­های میکرو الکترومکانیکی وقتی بروز پیدا می­کند که میکرو سنسورها، میکرو عملگرها و میکرو ساختارها روی یک صفحه­ی سیلیکونی با یکدیگر ترکیب شده و به یک مدار الکترونیکی متصل شوند. تکنیک­­های ساخت MEMS قادر می‌سازد که اجزا و وسایل با کارایی و با قابلیت بیشتر تولید شوند؛ در ضمن مزیت­‌هایی همچون کاهش اندازه­ی فیزیکی، حجم،  وزن و هزینه دارند [1] در شکل (1-3) نمونه­ای از تولیدات MEMS در ابعاد میکرو نشان داده شده است.

     

     

    شکل 1-3 : نمونه­ای از تولیدات در ابعاد میکرو [1]

    ۱-۳ تاریخچه

     

    ایده­ی ساخت سیستم­های بسیار ریز در سال ۱۹۵۹ توسط فیزیک­دان مشهور ریچارد فایتمن، در یک سخنرانی[4] مطرح شد. او در این سخنرانی، ایده­­ها و چشم اندازهایی در مورد طرح کار، دانش مهندسی و کاربردهای سیستم­ ها و ماشین­­های خیلی کوچک مطرح کرد. او در سال ۱۹۸۳ نیز سخنرانی دیگری در این مورد ایراد و پیش بینی­­های جالبی ارایه کرد که بیشتر آنها تاکنون محقق شده­اند و برخی دیگر نیز موضوع تحقیقات هستند.

    در سال ۱۹۸۲ کورت پیترسن[5] از کمپانی IBM پس از چند سال پژوهش و آزمایش، مقاله­­ای انتشار داد که در آن با بیان نتایج پژوهش­هایش نشان داد که سیلیکون دارای خواص و  قابلیت­های بسیار خوبی از جمله استحکام برای ساخت قطعات مکانیکی بسیار ریز است.

    از آنجایی که در ساخت مدارهای مجتمع نیز به وفور از سیلیکون استفاده می­‌شد و فرآیندهای لازم برای ساخت ادوات سیلیکونی (مثل لیتوگرافی، لایه­برداری و ...) وجود داشتند،  این مقاله باعث شد که ساخت قطعات مکانیکی سیلیکونی به سرعت رواج یافته و پیشرفت کند. مقاله سال ۱۹۸۲پیترسن، از نظر بسیاری افراد به عنوان نقطهی آغاز رسمی تکنولوژی MEMS شناخته می­‌شود [2].

    هر چند که قبل از آن نیز کارهای پراکنده­­ای در مورد ساخت سیستم­های بسیار کوچک انجام شده و انتشار یافته که در ادامه، به برخی از مهم­ترین رویدادهایی که منجر به توسعه­ی این فناوری شده­اند به صورت فهرست­وار اشاره می­‌شود:

    ۱۹۴۸:  اختراع ترانزیستور ژرمانیومی در آزمایشگاه بل توسط ویلیام شاکلی[6]

    ۱۹۵۴:  شناسایی اثر پیزو رزیستیو در سیلیکون و ژرمانیوم توسط آقای اسمیت[7]

    ۱۹۵۸:  ساخت اولین مدار مجتمع توسط جک کیلبی[8]

    ۱۹۵۹:  رونمایی از اولین سنسور فشار سیلیکونی

    ۱۹۶۷:  ارایه­ی اولین روش حکاکی ناهمسان­گرد عمیق سیلیکون

    ۱۹۶۸:  اختراع ترانزیستور رزونانت گیت با استفاده از روش میکرو ماشین­کاری سطحی

    ۱۹۷۰:  ساخت سنسورهای فشاری توسط فرآیند میکرو ماشین­کاری حجمی

    ۱۹۷۱:  اختراع میکرو پروسسور

    ۱۹۷۹:  تولید نازل جوهرافشان توسط شرکتHP

    ۱۹۸۲:  ارایه­ی روشLIGA

    ۱۹۸۲:  ساخت ترانسدیوسر فشار خون

    ۱۹۸۳:  ساخت سنسور فشار یکپارچه

    ۱۹۸۳:  ساخت سنسور کیسه­ی هوا در خودرو

    ۱۹۸۶:  اختراع میکروسکوپ نیروی اتمی

    ۱۹۸۶:  معرفی روش اتصال ویفرهای سیلیکونی

    ۱۹۸۸:  ساخت مجموعه­ی سنسورهای فشار توسط روش اتصال ویفرها

    ۱۹۸۸:  ساخت موتورهای چرخشی با نیروی جانبی الکترواستاتیکی

    ۱۹۹۱:  ساخت مفاصل پلی سیلیکون

    ۱۹۹۱:  کشف نانو لوله­های کربنی

    ۱۹۹۲:  ساخت مدولاتور نور شبکه­ای

    ۱۹۹۲:  ایجاد روش فرآیند SCREAM در میکرو ماشین­کاری حجمی

    ۱۹۹۳:  ساخت نمایشگر آینه­ای دیجیتال توسط شرکت تگزاس ابزار[9]

    ۱۹۹۳:  ساخت اولین شتاب­سنج با روش میکرو ماشین­کاری سطحی در حجم بالا توسط شرکت تجهیزات آنالوگ[10]

    ۱۹۹۴:  ثبت اختراع شرکت بوش در روش DRIE

    ۱۹۹۹:  سوئیچ­ های شبکه­ی نوری شفاف[11]

    دهه­ی اول قرن بیست و یکم پیشرفت سریع MEMS نوری و توسعه­ی سریعBIOMEMS  تحولات این فناوری از سال ۲۰۰۰  به بعد بسیار سریع بوده و هر ساله تعداد زیادی محصولات جدید وارد بازار می­‌شوند [2].

    ۱-۴ کوچک­سازی به عنوان شاخصه­ی اصلی MEMS

     

    کوچک­سازی یکی از شاخصه­های اصلی در تولید MEMS محسوب می­شود. کوچک­سازی مسلماً از بخش­‌های مهم این فناوری است، چرا که مواد و اجزای کوچک و سبک علاوه بر اینکه قادر به ارسال پاسخ­های سریع و فشرده می­باشند؛ همچنین هزینه­ی ساخت بسیار کمتری را به همراه دارند و دلایل اقتصادی خود یکی از مهم­ترین عللی است که ما را به سمت کوچک­سازی سوق می­‌دهد. بنابراین، این فناوری در تلاش است تا سیستم­‌های مکانیکی با ابعاد بسیار کوچک را بسازد که در شکل (1-4) برخی از این محصولات را مشاهده ­‌کنید [1].

     

     

    شکل 1-4 : نمونه­ای از محصولات MEMS در مقایسه با سایر اشیا که نشان دهنده­ی کوچکی ابعاد آن­ها [1]

     

    کوچک­سازی سیستم­­های مکانیکی، فرصت­های منحصر به فردی را در زمینه­های جدید در توسعه­ی علوم و فناوری به وجود آورده است؛ زیرا محصولات و سیستم­‌های میکرو مکانیکی ذاتاً کوچک­تر، سبک­تر، سریع­تر و معمولاً دقیق­تر از موارد مشابه ماکروسکوپیک خود می­ باشند. این فناوری در حال کوچک­تر کردن ابعاد خود و گذر از ابعاد میکرون و ورود به حوزه­ی نانو می­‌باشد و محصولات متعددی در این حوزه به تولید رسیده­­اند. بنابراین در حالت کلی دلایل کوچک­سازی بررسی خواهد شد [1]:

    ۱-۵ دلایل و مزایای کوچک­سازی در فناوری MEMS

     

    1- یکپارچگی سیستم در اندازه­های بسیار ریز،  افزایش می­‌یابد.

    ۲- می­توان با استفاده از روش ساخت گروهی[12]، هزینه­ی ساخت سیستم را کاهش داد. در فرایند ساخت گروهی برخلاف سیستم­های دست­ساز،  هزاران محصول به طور همزمان ساخته می­شوند که این عامل، هزینه­ی تولید را به طور قابل توجه­ای کاهش می­دهد.

    ۳- در فرآیند ساخت گروهی تمامی المان­ها به صورت یکنواخت ساخته می­شوند که خود یک مزیت بزرگ محسوب می­شود.

    ۴- با کاهش اندازه­ی قطعه، به دلیل کم شدن فاصله­ها، سرعت افزایش پیدا کرده و مصرف توان کاهش پیدا می­کند. به عنوان مثال در ریز پردازنده­های جدید، چون اندازه­ی قطعه کوچک­تر شده، سرعت پردازش نیز بسیار زیاد شده است.

    ۵- در اندازه­های بسیار ریز می­توان سیستم­های غیر الکترونیکی (مثل مکانیکی، شیمیایی، نوری و ...) را با اجزای الکترونیکی ترکیب کرد.

    ۶- حساسیت و کیفیت اجزای غیر الکترونیکی در اندازه­های میکرو افزایش می­یابد.

    به عنوان مثال از کرنش سنج[13] سنسوری که برای اندازه­گیری کرنش استفاده می­شود، اگر برای اندازه­گیری کرنش در ابعاد کوچک استفاده شود، باعث افزایش حساسیت و کیفیت سنسور خواهد شد.

    ۷- می­توان با اشیا و اجسام در ابعاد ریز ارتباط برقرار کرد.

    به عنوان مثال می­توان از خون، میکروب­ها را گرفت و یا در خون میکروب­ها را شناسایی و تشخیص داد [1].

    ۱-۶ برتری­های فناوری MEMS

     

    سیستم­های MEMS اندازه­ی بسیار کوچکی دارند که این مهم­ترین مزیت MEMS است. استفاده از فناوری MEMS برای ساخت سنسور بسیار مفید است؛ چرا که به خاطر اندازه خیلی کوچک آن، بسیار کمتر از ادوات بزرگ با محیط بر هم­کنش و تبادل انرژی دارد. در ضمن    می­توان از یک آرایه از سنسورها استفاده کرد، به خاطر اثر افزونگی[14]، بدون این­که حجم زیادی اشغال شود.  استفاده از MEMS، به عنوان محرک نیز مفید است؛ چرا که به خاطر اندازه­ی خیلی کوچکش، حرکت اعمال شده توسط آن می­تواند خیلی دقیق باشد [1].

    در ضمن، کوچک بودن این ادوات باعث می­­شود که آن­ها را در جاهای خاصی، مثل خودروها و بدن انسان وارد کرد تا بعضی پارامترهای محیط را اندازه گرفته یا تغییر دهند.

    از آنجایی که تولید MEMS شبیه تولید مدارهای مجتمع است، پس ادوات MEMS نیز در صورت تولید انبوه، ارزان تمام می­شوند. در ضمن در مواردی خاص، اگر ادوات MEMS گران تمام شود نیز در جاهای خاصی که اندازه و وزن کم بسیار اهمیت دارد (مثل ماهواره­ها یا سفینه­های فضایی) باز هم استفاده از MEMS توجیه دارد.

    در ضمن همان­طور که قبلاً هم ذکر شد، اگر قسمت­های مکانیکی و الکترونیکی سیستم MEMS به طور یکپارچه روی یک ویفر ساخته شوند؛ به دلیل کاهش نویز، مقاومت و خازن پارازیتیک، دقت و حساسیت سیستم حاصله بسیار بیشتر از سیستم­های بزرگ معمولی خواهد بود [1].

     

     

    ۱-۷ کاربردهای MEMS

  • فهرست و منابع پایان نامه بررسی اثرات حرارتی بر PLL مبتنی بر MEMS و جبران آن

    فهرست:

    فصل اول : سیستم­های میکروالکترومکانیکی

    ۱-۱ مقدمه. 2

    ۱-۲ تعریف MEMS. 2

    ۱-۳ تاریخچه. 4

    ۱-۴ کوچک­سازی به عنوان شاخصه­ی اصلی MEMS. 6

    ۱-۵ دلایل و مزایای کوچک­سازی در فناوری MEMS. 7

    ۱-۶ برتری­های فناوری MEMS. 8

    ۱-۷ کاربردهای MEMS. 9

    ۱-۸ لزوم توسعه و پیشرفت در زمینه­ی MEMS. 12

    ۱-۹ تکنولوژی طراحی و ساخت سیستم‌های‌ میکروالکترومکانیکی.. 13

    ۱-۹-۱ طراحی.. 13

    ۱-۹-۲ تکنولوژی ساخت... 14

    ۱-۹-۲-۱ انتقال طرح بر روی بستر. 14

    ۱-۹-۲-۲ لایه­برداری.. 14

    ۱-۹-۲-۳ لایه­نشانی.. 15

    ۱-۱۰ مواد مورد استفاده در MEMS. 16

    ۱-۱۰-۱ اکسید سیلیکون SiO2 18

    ۱-۱۰-۲ سیلیکون نیترید Si3N4 18

    ۱-۱۰-۳ سیلیکون کارباید (SiC) 18

    ۱-۱۱ دلایل استفاده از کریستال سیلیکون در MEMS. 19

    فصل دوم : اسیلاتورهای کنترل شده با ولتاژ

    ۲-۱ مقدمه. 21

    ۲-۲ نوسان­کننده­ی کنترل شده با ولتاژ (VCO) 21

    ۲-۳ انواع نوسان­ساز. 22

    ۲-۴  LC-VCO.. 24

    ۲-۵ نوسان­ساز عمودی.. 25

    ۲-۶  Q-VCO.. 29

    ۲-۷ نویز فاز و جیتر زمانی.. 30

    ۲-۷-۱ نویز فاز. 30

    ۲-۷-۲ جیتر زمانی.. 31

    فصل سوم : حلقه­ی قفل فاز

    ۳-۱ مقدمه. 34

    ۳-۲ نحوه­ی عملکرد PLL.. 34

    ۳-۳ اجزای PLL.. 34

    ۳-۴ آشکارساز فاز. 35

    ۳-۵ بلوک دیاگرام PLL.. 35

    ۳-۶ روابط PLL.. 35

    ۳-۷ کاربردهای PLL.. 37

    ۳-۸ PLL  مبتنی بر MEMS. 37

    ۳-۹ کریستال کوارتز. 37

    ۳-۱۰ روش­های قبلی انجام شده برای جبران­سازی حرارتی.. 40

    فصل چهارم : شبیه­سازی و تحلیل نتایج

    4-1 شبیه­سازی.. 51

    4-2 کدنویسی با PSO.. 52

    4-2-1 کد نویسی با شبکه­ی عصبی ............................................................................................ 56

    4-3 نتایج.. 61

    فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهادها

    5-1 نتیجه گیری.. 65

    مراجع.. 67

    منبع:

    مراجع

    S. P. Beeby, G. Ensel, and M. Kraft, 2004, “MEMS Mechanical Sensors”, Artech House.

    D. S. Eddy and D. R. Sparks, 1998, “Application of MEMS Technology in automotive sensors and actuators” Proceedings of the IEEE, vol. 86, pp. 1747-1755.

    S. Kota and G. K. Ananthasuresh, S. B. Crary and K. D. Wise, “Design and Fabrication of Microelectromechanical Systems”, Journal of Mechanical Design December 1994, vol. 116.

    Ali Hajmiri and Thomas H. Lee, “The Design of Low Noise Oscillators”., Kluwer Academic Publishers, NewYork, Boston., 2003.

    B. Z. Kaplen, “On the simplified implementation of quadrature Oscillator models and the expected quality of their operation as VCO’s,” Proc. IEEE, vol. 68, pp. 745-746, 1980.

    G. A. Korn and T. M. Korn, Electronic Analog and Hybrid Computers New York: McGraw-Hill, 2nd ed. 1972, p. 252.

    R. Genin and J. Genin, “Nouveau modele d’oscillatoeur non Lineaire donnant deux signaux sinusoidaux en quadrature”, C. R.Acad. Sci., serie A, vol. 286, pp. 377-379, 1978.

    B. Adkins, “The General Theory of Electrical Machines”. London: Chapman and Hall, 1959.

    M. K. Parasuram and B. Ramaswami, “A three phase sine wave reference generator for thyristorised motor controllers,” IEEE Trans. Ind. Electron. Contr. Instrum., vol. IECI-23, pp. 270-276, 1976.

    Wei Tingcun;Chen Yingmei; Hu Zhengfei. Analog CMOS IC Design, Tsinghua University Press, 2010 : 267-271

    Zhou, H. F.; Han, Y.; Dong, S. R.; Wang, C. H., “An Ultra-Low-Voltage High-Performance VCO in 0.13μm digital CMOS process,” Journal of Electromagnetic Waves and Applications, 2008, No. 17-18, vol. 22:2417-2426.

    H. J. McSkimin, “ Measurement of elastic constant at low temperature By means of ultrasonic waves data for silicon and germanium single Crystals and for fused silica,”  J. Appl. Phys., vol. 24, no. 8, pp. 988-997, Aug. 1953.

    Y.-H. Chuang, S.-H. Lee R.-H. Yen, S.-L.Jang, and M.-H. Juang, “A low-voltage quadrature CMOS VCO based on voltage-voltage feedback topology,” IEEE Microw., vol.16, no. 12, pp. 696-698. Dec. 2006.

    L. Lin and P. R. Gray, “A 1.4 GHz differential low-noise CMOS Frequency synthesizer using a wideband PLL architecture,” in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. (ISSCC) Dig. Tech. Papers, Feb. 2000, pp. 204-205, 458

    M. Gradner, “Phase-lock Techniques. New York: Wiley”, in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. (ISSCC) Dig. Tech. Papers, Feb. 2000, pp. 204-205, 45817.

    H. J. McSkimin, “Measurement of elastic constant at low temperature By means of ultrasonic waves data for silicon and germanium single Crystals and for fused silica,”  J. Appl. Phys., vol. 24, no. 8, pp. 988-997, Aug. 1953.

     

    J. Wang, J. E. Butler, T. Feygelson, and C. T. C. Nguyen, “1.5 GHz Nanocrystalline diamond micromechanical resonator with material Mismatched isolating support,” in Proc. IEEE MEMS 2004, Jan. 2004, pp.641-644.

    K. Ho. Gavin, K. Sundaresan, S. Pourkamali, and F. Ayazi, “Micromechanical IBARs: Tunable High-Q Resonators for Temperature-Compensated Reference Oscillators”, Georgia Institute of Technology, Atlanta , IEEE.,   January 31, 2010., JOURNAL OF MICRO ELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL. 19, NO. 3, JUNE 2010.

    R. Tabrizian, G. Casinovi and F. Ayazi, “Temperature-Stable High-QAIN-on-Silicon resonators with Embedded Array of Oxide Pillars,” Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems workshop (Hilton Head 2010), June 2010, pp. 100-101.

    R. Tabrizian, M. Pardo and F. Ayazi, “A 27 MHZ TEMPERATURE COMPENSATED MEMS OSCILLATOR WITH SUB-PPM INSTABILITY”, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia, USA, IEEE, 978-1-4673-0325-5,2012.

    K. Ho. Gavin, K. Sundaresan, S. Pourkamali, and F. Ayazi “Electronically Temperature Compensated Silicon Bulk Acoustic Resonator Reference Oscillators”, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, and is now with GE Global Research, Niskayuna, NY 12309 USA, IEEE,. 2007., IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 42, NO. 6, JUNE 2007.

    J. C. Salvia, R. Melamud, S. A. Chandorkar, S. F. Lord, and T.W. Kenny., “Real-Time Temperature Compensation of MEMS Oscillators Using an Integrated Micro-Oven and a Phase-Locked Loop”., JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL. 19, NO. 1, FEBRUARY 2010.

     

  • ثبت سفارش
    عنوان محصول
    قیمت