خلاصه پایان نامه تحلیل و شبیه سازی تقویت امواج عبوری از نانو لوله های کربنی فلزی با بایاس DC
پایاننامه دوره کارشناسی ارشد مهندسی برق-مخابرات
چکیده
تولید و تقویت بسامد های رادیویی[1] قلب مخابرات ماهوارهای و کاربردهای الکترونیک نوری است. صنعت مخابرات بهدنبال تقویت کنندههای بسامد رادیویی در مقیاس کوچکتر و موثرتر در بسامدهای بالاتر است. نانوساختارها بهدلیل ویژگیهای منحصربهفردشان این نیازها را برآورده میکنند. در این پایاننامه ویژگیهای ساختار گرافین و نحوه شکلگیری نانولولههای کربنی از آن را بیان میکنیم، شباهتها و تفاوتهای ساختار نانولوله کربنی[2] و تقویتکننده لولهای موج رونده[3] را بررسی کرده و علت فیزیکی تقویت در این دو ساختار را مقایسه میکنیم. معادله بولتزمن که برای نانولولههای کربنی با بایاس همزمان AC و DC بهکارمیرود را بررسی میکنیم و بهتحلیل فیزیکی رسانایی تفاضلی منفی[4] ایجادشده در نمودارهای بهدست آمده میپردازیم. با توجه بهعدم تطبیق امپدانسی که در استفاده از نانولولههای کربنی در دنیای واقعی رخ میدهد باید بستر مناسبی برای کاهش عدم تطبیق امپدانس طراحی کنیم. در این طراحی از موجبر همصفحه بهدلیل مزایایی که دارد مانند ظرفیت بسامد بالا، قابلیت ساخت در ابعاد زیر میکرو و... استفاده میکنیم. در مسیر عبور سیگنالِ موجبر همصفحه یک فضای خالی برای جاسازی نانولوله کربنی ایجاد میکنیم، سعی براین است که این فضای خالی تا حد امکان کوچک باشد تا تعداد نانولولههای کربنی بهکار رفته کاهش یابد. ساختار پیشنهاد شده باعث کاهش عدم تطبیق امپدانس شد.
کلیدواژه: نانولولههای کربنی، تقویت در نانولوله های کربنی بایاسشده، معادله بولتزمن، رسانایی تفاضلی منفی.
1-1-دیباچه
نانولولههای کربنی[1] برای اولین بار توسط ایجیما[2] در سال 1991 کشف شدند و پس از آن تلاشهای بسیاری برای پیشبینی ساختار الکترونیک آنها انجام شده است. بهدلیل ویژگیهای منحصربهفردشان مانند :رسانایی بالا، انعطافپذیری، استحکام و سختی بسیار مورد توجه قرار گرفتند [1]. در این فصل بهبررسی ساختار نانولولههای کربنی و نحوه ساخت آنها از گرافین میپردازیم. انواع نانولولههای کربنی و نحوه شکلگیری آنها را توضیح داده، مباحث فیزیکی بسیار مهم در نانوساختارها را بیان میکنیم. همچنین ساختار تقویتکننده لولهای موج رونده[3] را مورد بررسی قرار میدهیم.
1-2-گرافین و نحوه ساخت نانولولههای کربنی از گرافین
گرافین یک تکلایه از گرافیت است. همانطور که در شکل (1‑1) نشان داده شده است، اتصال کربن-کربن در گرافین توسط اوربیتالهای پیوندی، 2sp، اتصالهای s را تشکیل میدهند و باقیمانده اوربیتالها، zp، اتصالهای π را تشکیل میدهند. اتصالهای π و s بهصورت زیر تعریف میشوند:
s اتصالهای درون صفحهای را تشکیل میدهد، در حالیکه اتصالهای π، از نوع اتصالهای بیرون صفحهای است که هیچگونه برخوردی با هسته ندارند. اتصالهای s در گرافین و نانولولههای کربنی خصوصیتهای مکانیکی قوی را ایجاد میکنند. بهعبارت دیگر رسانایی الکترون بهطور گسترده از طریق اتصالهای π است. با توجه بهشکل (1‑1) میتوان بهاین خصوصیت پی برد. همانطور که دیده میشود هیچگونه صفری[4] در اوربیتالهای اتصال π نیست، الکترونها آزادانه اطراف شبکه حرکت میکنند که اصطلاحا غیرمحلی شده[5] گفته میشوند و یک شبکه متصل تشکیل میدهند که نحوهی رسانایی گرافین و نانولولههای کربنی را توضیح میدهد [1].
شکل (1‑1) اوربیتالهای اتمی اتصال کربن-کربن در صفحه گرافین [1].
شبکه فضای حقیقی دو-بعدی گرافین در شکل (1‑2) نشان داده شده است. سلولِ واحد گرافین از دو اتم مجزا با فاصلهی دروناتمی تشکیل شده است. بردارهای واحدِ آن بهشکل زیر هستند:
(1‑1)
که در آن ثابتشبکه است. سلول واحد از دو بردار شبکه تشکیل شده است، که در شکل (1‑2) بهرنگ خاکستری است [1].
شکل (1‑2) شبکه فضای حقیقی گرافین. سلول واحد بهرنگ خاکستری است [1].
شبکه دوبعدی فضای k در شکل (1‑3) نشان داده شده است. بردارهای واحد همپاسخ 1b و 2b توسط معادله زیر قابل دستیابی هستند:
(1‑2)
که dij دلتای کرونِکر است. در نتیجه:
(1‑3)
ثابت شبکه همپاسخ است. اولین ناحیهی بریلوین[6] گرافین درشکل (1‑3) بهرنگ خاکستری نشان داده شده است [1].
شبکه فضای k گرافین. ناحیهی بریلوین بهرنگ خاکستری نشان داده شده است [1].
مدل اتصال محکم[7] بهطور معمول برای دستیابی بهشکل تحلیلی پاشندگی انرژی الکترونی و یا ساختار باند E گرافین بهکار میرود. چون حل معادله شرودینگر عملا در سامانههای بزرگ غیرممکن است مدلهای تقریبی زیادی با افزایش یافتن پیچیدگی موجود است. تقریب اتصال محکم بهعنوان یکی از سادهترین روشها شناخته شده است. در این قسمت بهتوضیحی مختصر درباره چگونگی دستیابی بهرابطه پاشندگی الکترونی گرافین پرداخته میشود. چند فرض اولیه زیر را در نظر میگیریم:
برهمکنش الکترون-الکترون را نادیده میگیریم. این یک مدل تکالکترونی است.
تنها اتصالهای π در رسانایی تاثیر دارند.
ساختار گرافین، بینهایت بزرگ، کاملا متناوب و هیچگونه نقصی ندارد.
برای رسیدن بهتابع پاشندگی گرافین باید معادله شرودینگر برای یک الکترون مورد اعمال پتانسیلِ شبکه، مانند زیرحل شود:
(1‑4)
H همیلتونینِ شبکه، U پتانسیل شبکه،m جرم الکترون، jE تابع ویژه وYj انرژی ویژه برای jامین باند با بردار موج k است. چون این یک مسئله متناوب است، تابع ویژه (یا تابع بلاخ[8]) باید تئوری بلاخ را که بهشکل زیر داده شده برآورده کند:
(1‑5)
بردار شبکه براوایس[9] است، r1 و r2 عددهای صحیح هستند [1]. بنابراین تابع موج در فضای همپاسخ با بردار شبکه همپاسخ متناوب است که q1 و q2 عدد صحیح هستند:
(1‑6)
در نهایت ساختار باند گرافین بهشکل زیر تقریب زده میشود
(فرمول ها در فایل اصلی موجود است)
Abstract
Radio frequency (RF) generation and amplification is at the heart of telecommunication, satellite and optoelectronics applications. The electronics industry is in constant search for RF amplifiers with smaller size, more efficient, and operating at higher frequencies. Nano materials with unique properties promise to fulfill these characteristics.
In this thesis, we represent the properties of graphene structure and the way of forming carbon nanotube (CNT) by graphene. We investigate the similarities and differences between traveling wave tube (TWT) and CNT and compare the physical mechanism of amplification in them. We use Boltzmann equation for CNTs under DC and AC fields and analyze the negative differential conductivity (NDC).
Due to the inherent impedance mismatch between carbon nanotube and the macro world through which they are probed, we designed a proper structure to solve this mismatch. In our design we use tapered coplanar waveguide (TCPW) because of some properties of CPW such as: guidance of much higher frequencies compared to other planar structures and easy design and fabrication with feature sizes less than one micrometer.
A gap in the central strip allows the CNTs to be aligned across for characterization and transmission measurements. Furthermore, the width of the strip is tapered down to achieve more reduction of mismatch. The impedance mismatch reduction is depicted.
Keywords: Carbon nanotubes (CNTs), Carbon nanotube amplification, Boltzmann equation, Negative differential conductivity
فهرست پایان نامه تحلیل و شبیه سازی تقویت امواج عبوری از نانو لوله های کربنی فلزی با بایاس DC
فهرست:
فصل 1- معرفی نانولولههای کربنی.. 1
1-1- دیباچه. 3
1-2- گرافین و نحوه ساخت نانولولههای کربنی از گرافین.. 3
1-3- انواع نانولولههای کربنی.. 9
1-3-1- نانولوله کربنی زیگزاگ ........... 13
1-3-2- نانولوله کربنی مبلی ........... 14
1-4- مباحث فیزیکی.. 15
1-4-1- ناحیهی بریلوین.. 15
1-4-2- حالت بلاخ.. 15
1-4-3- نوسانهای بلاخ.. 16
1-5- تقویتکننده لولهای موج رونده 17
1-6- کاربرد نانولولههای کربنی.. 19
1-7- مطالب پایاننامه. 19
فصل 2- معادله بولتزمن.. 21
2-1- دیباچه. 23
2-2- رسانایی تفاضلی منفی.. 23
2-3- معادله بولتزمن.. 24
2-4- معادله جریانِ رسانایی بر حسب میدان اعمالی.. 24
فصل 3- ساختار مناسب برای تطبیق امپدانس نانولولههای کربنی.. 33
3-1- دیباچه. 35
3-2- مدل مداری نانولولههای کربنی.. 35
3-3- عدم تطبیق امپدانس.... 37
3-4- ساختار کلی موجبری الکترومغناطیسی و روش برقراری اتصال.. 38
فصل 4- شبیهسازی نانولوله کربنی با بایاسDC و AC.. 41
4-1- دیباچه. 43
4-2- شبیهسازی نانولوله کربنی با بایاس DC.. 43
4-3- شبیهسازی با استفاده از معادلههای بولتزمن و با درنظر گرفتن بایاس DC و AC.. 49
4-3-1- نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ با ضریب مشخصه (0،12) 49
4-3-2- نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ با ضریب مشخصه (10،0) 54
4-3-3- نانولوله کربنی از نوع زیگزاگ با ضریب مشخصه (100،0) 56
فصل 5- شبیهسازی ساختار مناسب برای تطبیق امپدانس نانولولههای کربنی.. 61
5-1- دیباچه. 63
5-2- شبیهسازی ساختار مناسب برای تطبیق امپدانس نانولوله کربنی.. 63
فصل 6- نتیجهگیریها و پیشنهادها 71
6-1- نتیجهگیریها 73
6-2- پیشنهادها 74
مرجعها....... 75
واژهنامه فارسی بهانگلیسی.. 77
واژهنامه انگلیسی بهفارسی.. 79
منبع:
M. Dagher, N. Chamanara, D. Sounas, R. Martel, and C. Caloz, “Theoretical investigation of traveling- wave amplification in metallic carbon nanotubes biased by a dc field,” IEEE Trans. Nanotechnol. Vol. 11, pp. 463-471, 2012.
http://edu.nano.ir/index.php?actn=papers_view&id=161
B.G. Streetman and S. Banerjee, Solid state electronic devices, Prentice Hall, 2009.
C. Kittle, Introduction to solid state physics, Wiley, 1996.
E. Jodar, A.P. Garrido, and F. Rojas, “Bloch oscillations in carbon nanotubes,” J. Phys. Condens. Matter, Vol. 21, pp. 1-5, 2009.
https://www.cst.com/Applications/Article/Ku-Band+Traveling+Wave+Tube.
M. Shahinpoor and S. Hans-Jörg, Intelligent Materials, Royal Society of Chemistry, 2008.
S.S. Abukari, K.W. Adu, S.Y. Mensah, N.G. Mensah, K.A. Dompreh, A.K. Twum, and M. Rabiu, “Amplification of terahertz radiation in carbon nanotubes,” Eur. Phys. J. B, Vol. 86, pp. 1-5, 2013.
Z. Aksamija, Boltzmann transport equations for nanoscience applications, Report, Electrical and Computer Engineering Dept. University of Wisconsin-Madison, 2008.
L. Esaki and R. Tsu, “Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors,” IBM J. Research and Development, Vol. 14, pp. 61–65, 1970.
P.J. Burke, “Luttinger liquid theory as a model of the gigahertz electrical properties of carbon nanotubes,” IEEE Trans. NanoTechnol. Vol. 1, pp. 129-145, 2002.
Q. Liu, G. Luo, R. Qin, H. Li, X. Yan, C. Xu, L. Lai, J. Zhou, S. Hou, E. Wang, Z. Gao, and J. Lu, “Negative differential resistance in parallel single walled conductivity in carbon nanotubes,” Phys. Rev. Lett. Vol. 83, pp. 155442 (1-7), 2011.
A.S. Maksimenko and G.Y. Slepyan, “Negative differential conductivity in carbon nanotubes,” Phys. Rev. Vol. 84, pp. 362-365, 2000.
http://wcalc.sourceforge.net/cgi-bin/coplanar.cgi.
G.W. Hanson, “Fundamental transmitting properties of carbon nanotube antennas,” IEEE Trans. Antennas Propag. Vol. 53, pp. 3426-3435, 2005.